特許
J-GLOBAL ID：200903041368966928

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
原田 裕次

原田 裕次 について

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畠山 潤

畠山 潤 について

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河合 義夫

河合 義夫 について

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笹子 勝

笹子 勝 について

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遠藤 政孝

遠藤 政孝 について

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前田 一彦

前田 一彦 について

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小森谷 治彦

小森谷 治彦 について

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大谷 充孝

大谷 充孝 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

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松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について

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セントラル硝子株式会社

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代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-155343
公開番号（公開出願番号）：特開2006-328259
出願日： 2005年05月27日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【解決手段】 下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲であることを特徴とする高分子化合物。 【化1】(式中、R1はフッ素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のフッ素化アルキル基を示す。R2は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基又はフッ素化アルキレン基を示す。R3は酸不安定基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物を用いたレジスト材料は、ArF露光において優れた解像性、小さいラインエッジラフネス、優れたエッチング耐性、特に、エッチング後の表面ラフネスが小さい特性を有している。また、投影レンズとウエハー間に液体を挿入して露光を行うArF液浸リソグラフィーでも同様の高い性能を発揮できる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲であることを特徴とする高分子化合物。
IPC (4件)：
C08F 20/22 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
C08F20/22 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (36件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  4J100AE09R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA15P ,  4J100BB12Q ,  4J100BB12R ,  4J100BC03P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC58R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (4件)
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