特許
J-GLOBAL ID：200903098566392114

レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について

, 
三枝 浩

三枝 浩 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276394
公開番号（公開出願番号）：特開2007-086514
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、および(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有するレジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、および (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有するレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/12
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/12
Fターム (78件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4J100AH02Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL16Q ,  4J100AL21P ,  4J100AL75Q ,  4J100AM21Q ,  4J100AN01Q ,  4J100AP01Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05P ,  4J100BA05R ,  4J100BA06P ,  4J100BA10P ,  4J100BA11P ,  4J100BA12R ,  4J100BA13P ,  4J100BA14P ,  4J100BA14Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA20P ,  4J100BA34R ,  4J100BA37R ,  4J100BA38R ,  4J100BA40P ,  4J100BA41P ,  4J100BA51R ,  4J100BA55P ,  4J100BA55R ,  4J100BA71P ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BB05P ,  4J100BB07P ,  4J100BC02P ,  4J100BC02Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC12R ,  4J100BC43P ,  4J100BC48P ,  4J100BC49P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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