特許
J-GLOBAL ID：200903096434935272

重合性化合物、高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
原田 裕次

原田 裕次 について

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河合 義夫

河合 義夫 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-215901
公開番号（公開出願番号）：特開2005-133065
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位、下記一般式(2a)で示される繰り返し単位、下記一般式(3b)で示される繰り返し単位のいずれか一以上と、下記一般式(1c)で示される繰り返し単位とを有する高分子化合物、およびこれをベース樹脂として配合したポジ型レジスト材料。 【化50】【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示される重合性化合物。
IPC (6件)：
C08F216/14 ,  C07C69/54 ,  C08F220/10 ,  C08F220/22 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (6件)：
C08F216/14 ,  C07C69/54 B ,  C08F220/10 ,  C08F220/22 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (46件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006BJ30 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BN20 ,  4H006KC14 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL09P ,  4J100AL31P ,  4J100AL31Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB18P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC53P ,  4J100BC83P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (5件)
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