特許
J-GLOBAL ID：200903039983441261

GMR素子を用いた変位センサ,GMR素子を用いた角度検出センサ及びそれらに用いる半導体装置

発明者：
山田 雅通

山田 雅通 について

, 
金川 信康

金川 信康 について

, 
中林 研司

中林 研司 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-007587
公開番号（公開出願番号）：特開2008-134215
出願日： 2007年01月17日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】 GMR素子を用いた、角度のような物理量の変位を検出する変位検出センサにおける出力電圧の波形歪みを低減し、高精度のGMR素子を用いた変位検出センサを提供する。【解決手段】 所定の磁化の向きに設定された固定磁性層を有する複数のGMR素子からなる、所定の角度オフセットを有する少なくとも2つのホーイストン・ブリッジ回路を設置し、前記ホーイストン・ブリッジ回路の電源を交流電源として、前記ホーイストン・ブリッジ回路の交流変調された出力に基づいて回転角度当の物理量の変位を検出する構成とした。【効果】 GMR素子のフリー磁性層の異方性自己バイアス効果を低減でき、フリー磁性層の異方性自己バイアス効果に基づく出力信号の波形歪みが改善できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が外部磁界に影響されず所定の方向に設定された第1の磁性層と前記外部磁界に対し磁化方向が変化する第2の磁性層とを有する検出素子、 前記外部磁界を供給する磁界発生手段、 前記検出素子に駆動電圧を供給する電源供給手段とを有し、 前記磁界発生手段と前記検出素子との相対的位置関係に応じて生じる前記第2の磁性層の磁化状態と前記第1の磁性層の前記設定された磁化状態との間の磁化状態の差に応じた前記検出素子の抵抗値の変化を検出し、もって前記磁界発生手段と前記検出素子との相対的位置関係を検出するものにおいて、 前記駆動電圧に基づいて前記検出素子に流れる電流に起因して前記第2の磁性層に発生する異方性磁気抵抗効果を抑制する抑制手段を設けたことを特徴とする変位検出センサ。
IPC (3件)：
G01D 5/245 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
G01D5/245 N ,  G01R33/06 R ,  H01L43/08 A
Fターム (28件)：
2F077AA11 ,  2F077CC02 ,  2F077JJ01 ,  2F077JJ09 ,  2F077JJ23 ,  2F077TT16 ,  2F077TT66 ,  2G017AA03 ,  2G017AA10 ,  2G017AB02 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017BA09 ,  2G017CC04 ,  5F092AA20 ,  5F092AB01 ,  5F092AC08 ,  5F092AD06 ,  5F092AD12 ,  5F092AD28 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04 ,  5F092DA03 ,  5F092DA04
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM