半導体発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000123
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184319
出願日： 2006年01月04日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】半導体発光素子から出射された光の利用効率を向上させ、高出力・高効率のリフレクタ付半導体発光装置を提供すること。【解決手段】サブマウント、発光素子およびリフレクタの位置および大きさが、該半導体発光素子の中心を通る基板に垂直な断面において下式(A)の関係を満足していることを特徴とする半導体発光装置。 r-ls≦(hs-d)×(ls-lc)/hc (A) 式(A)において、r、lsおよびlcは、それぞれリフレクタのダレ部、サブマウントの外周および半導体発光素子の外周と半導体発光素子の中心との距離であり、hsおよびdはそれぞれサブマウントおよびリフレクタのダレ部の高さであり、hcは半導体発光素子上面のサブマウント上面からの高さである。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基板、該基板上に設けられたサブマウント、該サブマウント上に設けられた半導体発光素子、および該サブマウントと半導体発光素子の周囲に設けられたリフレクタからなり、サブマウント、発光素子およびリフレクタの位置および大きさが、該半導体発光素子の中心を通る基板に垂直な断面において下式(A)の関係を満足していることを特徴とする半導体発光装置。 r-ls≦(hs-d)×(ls-lc)/hc (A) 式(A)において、r、lsおよびlcは、それぞれリフレクタのダレ部、サブマウントの外周および半導体発光素子の外周と半導体発光素子の中心との距離であり、hsおよびdはそれぞれサブマウントおよびリフレクタのダレ部の高さであり、hcは半導体発光素子上面のサブマウント上面からの高さである。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA40 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA20 , 5F041DA73 , 5F041DA74 , 5F041DA75 , 5F041DA78

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭61-77347号公報
発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-044406 出願人：松下電器産業株式会社
特許第3257455号公報

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審査官引用 (8件)

発光装置および照明装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-071430 出願人：京セラ株式会社
発光装置および照明装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-071429 出願人：京セラ株式会社
半導体発光デバイス用の実装
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-218432 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

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