特許
J-GLOBAL ID：200903040006819696
半導体ウエーハの加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
末成 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-221298
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036143
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 接着フィルムを半導体ウエーハに接着した後に接着フィルムを切断することによって発生する種々の不都合を解消することができるのは勿論のこと、様々なデバイスのサイズに簡単に適用可能な半導体ウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】 接着フィルム4をレーザにより半導体ウエーハ2のストリート2bと同形同大の形状に切断し、接着フィルム4の切断線5にストリート2bを合致させて半導体ウエーハ2を位置決めする。次いで、接着フィルム4を半導体ウエーハ2に接着し、半導体ウエーハ2をストリート2bに沿って切断してデバイス2aを個片化する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
表面にストリートによって区画された複数のデバイスが形成された半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを接着し、前記半導体ウエーハを前記ストリートに沿って切断し、前記デバイスを個片化する半導体ウエーハの加工方法において、
前記接着フィルムをレーザ光により前記ストリートと同形同大の形状に切断する接着フィルム切断工程と、前記接着フィルムの切断線に前記ストリートを合致させる位置決め工程と、前記接着フィルムを前記半導体ウエーハに接着する接着工程とを備えたことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 P
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
