特許
J-GLOBAL ID：200903040065569296
強誘電性コンデンサを形成するための水素を含まない接触エッチング
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-389228
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230382
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 頂部電極の下に位置する底部電極と、上記頂部電極と底部電極との間に位置する強誘電物質とから構成される強誘電性コンデンサの上記頂部電極への導電性接点を形成するための方法を提供する。【解決手段】 頂部電極上に一つの層(図4dの408または312)を形成するステップと;水素を含まないエッチング剤を使用して、上記層内に開口部をエッチングすることにより上記頂部電極の一部を露出するために、上記層に上記開口部(図4dの414)を形成するステップと;頂部電極との電気的接続部を形成するために、上記開口部内に導電性材料(図4dの432)を蒸着するステップとを含む。
請求項（抜粋）：
頂部電極の下に位置する底部電極と、前記頂部電極と底部電極との間に位置する強誘電物質とから構成されている強誘電性コンデンサの前記頂部電極への導電性接点を形成するための方法であって、前記頂部電極上に一つの層を形成するステップと、水素を含まないエッチング剤を使用して、前記層に開口部をエッチングすることにより前記頂部電極の一部を露出するために、前記層内に前記開口部を形成するステップと、頂部電極との電気的接続部を形成するために、前記開口部に導電性材料を蒸着するステップを含む方法。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 21/3065
, H01L 21/768
H01L 27/10 444 B
, H01L 21/302 J
, H01L 21/90 A
