特許
J-GLOBAL ID：200903040085199894

有機電界効果トランジスタ及び半導体装置

発明者：
古川 忍

古川 忍 について

, 
今林 良太

今林 良太 について

, 
加藤 薫

加藤 薫 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-015372
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227907
出願日： 2007年01月25日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減できる電極を有する有機電界効果トランジスタ及び有機電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】有機電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、有機化合物と無機化合物とを含む複合層を設け、有機化合物は、一般式(1)で表されるカルバゾール誘導体を用いる。ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、複合層を設けることにより、導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減することができる。【化1】【選択図】なし
請求項（抜粋）：
有機半導体材料を含む半導体層と、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、有機化合物と無機化合物とを含む複合層を有し、 前記有機化合物は、一般式(1)で表されるカルバゾール誘導体であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  C07D 209/88
FI (9件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  H01L29/28 370 ,  C07D209/88
Fターム (58件)：
4C204AB20 ,  4C204BB09 ,  4C204CB25 ,  4C204DB01 ,  4C204EB01 ,  4C204FB08 ,  4C204GB32 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK11 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM02 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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