特許
J-GLOBAL ID：200903040115771113

固体撮像素子の画素構造

発明者：
市川 道教

市川 道教 について

, 
谷手 隆紀

谷手 隆紀 について

, 
河田 任史

河田 任史 について

, 
池野 良平

池野 良平 について


出願人/特許権者：
ブレインビジョン株式会社

ブレインビジョン株式会社 について

, 
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 上島 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-125309
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277738
出願日： 2008年05月12日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】フォトダイオード内における残留電子を低減する。【解決手段】フォトダイオードに隣接して配置され、フォトダイオードで発生した電子の読み出しを制御する第1段のゲートと、第1段のゲートの後段に所定の間隙を開けて隣接するとともに、第1段のゲートの読み出し制御により読み出された電子の複数の電荷蓄積部への移動を制御する第2段のゲートと、第2段のゲートの後段に所定の間隙を開けて隣接するとともに、複数の電荷蓄積部のそれぞれに対応してそれぞれ配置され、第2段のゲートの移動制御により移動された電子を複数の電荷蓄積部へそれぞれ分配する制御を行う複数の第3段のゲートとを有し、フォトダイオードのポテンシャルに第1段のゲート方向へ電子を移動させる勾配を形成した。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
光電変換により発生した電子を分配して電荷蓄積を行う固体撮像素子の画素構造において、 光電変換により電子を発生するフォトダイオードと、 前記フォトダイオードで発生された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部と、 前記フォトダイオードと前記電荷蓄積部との間に配置され、前記フォトダイオードで発生された電子の前記複数の電荷蓄積部への転送を制御するゲート構造と を有し、 前記ゲート構造は、3段のゲートよりなり、 前記3段のゲートは、 前記フォトダイオードに隣接して配置され、前記フォトダイオードで発生した電子の読み出しを制御する第1段のゲートと、 前記第1段のゲートの後段に所定の間隙を開けて隣接するとともに、前記第1段のゲートの読み出し制御により読み出された電子の前記複数の電荷蓄積部への移動を制御する第2段のゲートと、 前記第2段のゲートの後段に所定の間隙を開けて隣接するとともに、前記複数の電荷蓄積部のそれぞれに対応してそれぞれ配置され、前記第2段のゲートの移動制御により移動された電子を前記複数の電荷蓄積部へそれぞれ分配する制御を行う複数の第3段のゲートと を有し、 前記フォトダイオードのポテンシャルに前記第1段のゲート方向へ電子を移動させる勾配を形成した ことを特徴とする固体撮像素子の画素構造。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (10件)：
4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA20 ,  4M118DA21 ,  4M118DA23 ,  4M118DB13 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14
引用特許：
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM