特許
J-GLOBAL ID：200903040170290698
半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045697
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246536
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、室温動作が可能な単一電子トンネル効果を用いた半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 Si(100)面が表面にでたSOI基板のシリコン層を異方性エッチングにより部分的に除去し、このエッチング領域の先端がSOI基板内部の絶縁層領域に少なくとも到達させて、このエッチング領域に絶縁膜を介してアイランドを形成する。前記シリコン膜中に前記アイランドを挟むようにしてソース、ドレインを形成する。アイランド上には絶縁膜を介して制御電極を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に絶縁層が形成され、この絶縁層上にSi(100)面が表面にでたシリコン層が形成された基板と、前記シリコン層が異方性エッチングにより部分的に除去され、この除去された領域の先端が前記絶縁層に達しており、この除去された領域の前記シリコン層表面に形成されたトンネル効果で電子が通過可能な絶縁膜と、前記除去された領域の先端部に形成された第1の導電領域と、前記シリコン層中にそれぞれ形成された第2の導電領域及び第3の導電領域とを具備し、前記第1の導電領域上に絶縁膜を介して形成された制御電極を制御することによって、前記第2の導電領域、第1の導電領域、第3の導電領域へトンネル効果により電子が1つづつ移動する状態と、電子が移動しない状態とを制御できることを特徴とする半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 29/66
, H01L 29/786
, H01L 49/02
H01L 29/78 301 J
, H01L 29/06
, H01L 29/66
, H01L 49/02
, H01L 29/78 622
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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