特許
J-GLOBAL ID：200903040248767330
半導体装置、半導体装置の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078317
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275913
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体層のダングリングボンドを水素にてターミネイトする際、水素が過剰となることを防ぎ、電気特性を向上させる。【解決手段】 a-Siを結晶化する前に、結晶化を妨げることを防ぐ目的も兼ねてだつ水素アニールを行い、p-Si13中の水素濃度を5×10の20乗atm/cc以下としておく。更に、p-Si13を覆ってプラズマ窒化膜からなる層間絶縁膜15を形成した状態で、窒素雰囲気中にて、400°C、2時間のアニールを行う。p-Si13のダングリングボンドに水素が効率的にターミネイトされ、水素が過剰となることなく、電気特性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体膜内に含有される水素原子の数が、半導体膜内の不対結合手の数と同程度かそれよりも少ないことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 G
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 627 G
