半導体装置の製造方法及び成膜装置並びに記憶媒体

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304638
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159316
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】例えばMOSFETのゲート絶縁膜などの高誘電率膜として有効なハフニウム化合物膜の上にポリシリコン電極を形成するにあたり、フラットバンド電圧のシフトを抑えること。【解決手段】減圧雰囲気且つ加熱雰囲気下において反応容器内にてハフニウム有機化合物の蒸気と例えばジシランガスとを反応させてシリコン膜の上にハフニウムシリケート膜を成膜し、このハフニウムシリケート膜の上にジクロロシランガスと酸化二窒素ガスとを反応させてバリヤ層となるシリコン酸化膜を積層し、その上にゲート電極となるポリシリコン膜を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜の上に、この絶縁膜に電圧を印加するための電極を形成した半導体装置を製造する方法において、基板上に原料ガスを反応させてハフニウム化合物膜からなる絶縁膜を成膜する第1の工程と、前記絶縁膜上にハフニウムの拡散を抑えるためのシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなるバリヤ膜を成膜する第2の工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/316

FI (2件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 M

Fターム (30件)：

5F058BA01 , 5F058BA05 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH03 , 5F058BH05 , 5F058BJ01 , 5F140AA06 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BG32 , 5F140BK13

引用特許：

出願人引用 (1件)

高誘電率材料のための酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-330845 出願人：チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド

審査官引用 (10件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-255454 出願人：株式会社日立製作所
MIS型電界効果トランジスタ及びこれの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094052 出願人：株式会社東芝
絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-097906 出願人：東京エレクトロン株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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