特許
J-GLOBAL ID:200903040306905560

発光素子および発光素子モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 釜田 淳爾 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-268542
公開番号(公開出願番号):特開2001-094188
出願日: 1999年09月22日
公開日(公表日): 2001年04月06日
要約:
【要約】【課題】 基板が発光波長に対して透明である場合に確認される基板由来の導波モードが関わる発振波長に対する強度変調を抑制し、優れた光出力直線性と外部共振器との結合特性を示す発光素子を提供すること。【解決手段】 発光波長に対して透明な基板、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第1導電型クラッド層、および該第1導電型クラッド層上に形成された活性層構造を有する発光素子であって、前記基板と前記第1導電型クラッド層の間に第1導電型低屈折率層が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率nsub、前記第1導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分nclad1、および前記第1導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率nLIL1が以下の関係式を満足することを特徴とする発光素子。(式1) nsub > nclad1 > nLIL1
請求項(抜粋):
発光波長に対して透明な基板、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第1導電型クラッド層、および該第1導電型クラッド層上に形成された活性層構造を有する発光素子であって、前記基板と前記第1導電型クラッド層の間に第1導電型低屈折率層が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率nsub、前記第1導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分nclad1、および前記第1導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率nLIL1が以下の関係式を満足することを特徴とする発光素子。【数1】(式1) nsub > nclad1 > nLIL1
IPC (3件):
H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01L 33/00
FI (3件):
H01S 5/022 ,  G02B 6/42 ,  H01L 33/00 M
Fターム (34件):
2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037CA01 ,  5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CB03 ,  5F041EE25 ,  5F041FF14 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073AA83 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA23 ,  5F073DA32 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073HA10
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 半導体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-324176   出願人:日本電信電話株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-053353   出願人:株式会社東芝
  • 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-105515   出願人:シャープ株式会社
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • OSA TOPS on Optical Amplifiers and Their Applications, 1996, Vol.5, p.101-104

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