特許
J-GLOBAL ID：200903087596099916

半導体レーザ

発明者：
横山 清行

横山 清行 について

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竹下 達也

竹下 達也 について

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須郷 満

須郷 満 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324176
公開番号（公開出願番号）：特開2000-151018
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 遠視野像の水平、垂直方向の扁平比が小さく、シングルモードファイバとの結合は、球面レンズを用いた高精度な位置合わせを要することなく、高効率に行うことができ、活性層領域の光閉じこめを減少させることなく、ゲイン媒質を有効に利用でき、デバイス全体としてのロスの低減効果でより高出力特性を得ることのできる半導体レーザを提供する。【解決手段】 深さ方向の光強度分布を上部(リッジ方向)に引き上げるために、第1の導波路と第1のSCH層の間に低屈折率層を挿入した構成、あるいは、第2のSCH層と第2の導波路との間に高屈折率層を挿入した構成、あるいは、第1の導波路と第1のSCH層の間に低屈折率層を挿入するとともに、第2のSCH層と第2の導波路との間に高屈折率層を挿入した構成を特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板の上に形成された第1のクラッド層と、この第1のクラッド層の上に形成された第1の光導波路層と、この第1の光導波路層の上に形成された第1のSCH層と、この第1のSCH層の上に形成された活性層と、この活性層の上に形成された第2のSCH層と、この第2のSCH層の上に形成された第2の光導波路層と、第2の導波路層の上に形成された第2のクラッド層とを有し、前記第2の導波路層および第2のクラッド層がリッジ型に加工されている半導体レーザにおいて、前記第1の導波路層と第1のクラッド層との間にその両者よりも屈折率が低い低屈折率層が設けられたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01S 3/18 662 ,  H01S 3/18 677
Fターム (7件)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073EA20
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (15件)
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