特許
J-GLOBAL ID：200903040323005157

不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法

発明者：
上田 直樹

上田 直樹 について

, 
冨田 雅裕

冨田 雅裕 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-006162
公開番号（公開出願番号）：特開2007-188593
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】 少ない書き込み電圧の印加回数で、書き込み完了後の閾値電圧分布幅を狭く制御可能な不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置の書き込み対象となる複数のメモリセルからなる書き込み対象メモリセル群の全てまたは一部の前記メモリセルの集合に対して、メモリセルの夫々を、メモリセルの閾値電圧に応じて、閾値電圧分布範囲によって規定される3以上の階級に類別する類別工程と、類別された各階級に属するメモリセル数を各階級の評価値として導出する評価工程と、各階級のメモリセルに対して、各階級の評価値に応じた書き込み条件で書き込み処理を行う書き込み工程とを有する。メモリセルに印加する書き込み電圧変化量が、各階級に対する書き込み回数の推移に対し、書き込み途中において極小値を取るように変化する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体記憶装置の書き込み対象となる複数のメモリセルからなる書き込み対象メモリセル群の全てまたは一部の前記メモリセルの集合に対して、 前記メモリセルの夫々を、前記メモリセルの記憶状態に応じて変化する物理量に応じて、前記物理量の分布範囲によって規定される3以上の階級に類別する類別工程と、 前記類別工程で類別された前記各階級に属する前記メモリセルの数を前記各階級の評価値として導出する評価工程と、 前記各階級の前記メモリセルに対して、前記各階級の前記評価値に応じた書き込み条件で書き込み処理を行う書き込み工程と、 を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
IPC (1件)：
G11C 16/02
FI (2件)：
G11C17/00 611E ,  G11C17/00 641
Fターム (9件)：
5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125DB12 ,  5B125DB18 ,  5B125DB19 ,  5B125DE07 ,  5B125DE20 ,  5B125FA05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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