半導体層とこの半導体層を用いた半導体装置および表示装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-253713
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088106
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】水素終端化された高品質な多結晶Si膜を含む半導体薄膜を低温、高速成膜することで、良好な特性のTFTを安定して実現し、高品質、高画質の半導体装置および表示装置を提供する。【解決手段】絶縁性基板上に形成したSi、Ge、F、Hを含有する半導体層4を、良好な結晶性が得られる反応熱CVD法で形成した多結晶SiGe膜または多結晶Si膜を第一層4aとその上層の第二層4bとの複数層の連続成膜で積層構造に構成し、該半導体層4中のH濃度を絶縁性基板1側に対して表面側にある第二層4bで高くした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成されて、少なくともシリコン、ゲルマニウム、水素を含有する半導体層であって、前記半導体層中の水素濃度が、前記絶縁性基板とは反対の表面側で高いことを特徴とする半導体層。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 51/50 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L29/78 618G , H05B33/14 A , H01L29/78 618E , H01L21/205

Fターム (83件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC31 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107FF14 , 3K107FF15 , 3K107GG03 , 3K107HH00 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AB01 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC17 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045CA15 , 5F045DA52 , 5F045DA68 , 5F110AA19 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF25 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG36 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-192740 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-010051 出願人：株式会社アルバック
半導体薄膜形成方法及び薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-098501 出願人：松下電器産業株式会社

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