特許
J-GLOBAL ID：200903040500874861

集積回路装置の製造方法

発明者：
内藤 勝之

内藤 勝之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-236756
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053199
出願日： 2005年08月17日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】 リソグラフィー技術の限界以上に微細化した配線構造を持つ集積回路装置製造方法の提供。【解決手段】 複数の下地電極配線13が形成された下地表面上に絶縁体膜12を形成する工程と、絶縁体膜12に、下地電極配線13と交差する複数の溝25を形成して下地表面を露出させる工程と、溝中に下地電極配線13に電気接続する複数の素子11を形成する工程と、下地電極配線に電位を付与しつつカーボンナノチューブからなる配線30を溝中に化学気相成長により形成することを特徴とする集積回路装置の製造方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数の電極配線が形成された下地表面上に絶縁体膜を形成する工程と、 前記絶縁体膜に、前記電極配線と交差する複数の溝を形成する工程と、 前記溝が前記電極配線と交差する部分にある前記絶縁体膜に、前記電極配線表面に至る孔を形成する工程と、 前記孔中に前記電極配線に接続する複数の素子を形成する工程と、 前記電極配線から前記素子の表面に電位を付与しつつ、カーボンナノチューブ配線を前記溝中に化学気相成長により形成し、前記素子と前記カーボンナノチューブ配線を接続する工程とを含むことを特徴とする集積回路装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/320 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/06
FI (6件)：
H01L21/88 B ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 431 ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 C ,  H01L29/06 601N
Fターム (19件)：
4M104BB36 ,  4M104CC00 ,  4M104DD45 ,  4M104GG16 ,  5F033HH00 ,  5F033KK11 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033VV16 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F083CR14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR04 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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