特許

J-GLOBAL ID：200903040512940894

絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイス

発明者： 横田 嘉宏 ,  川上 信之 ,  林 和志 ,  橘 武史 ,  小橋 宏司
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-151046
公開番号（公開出願番号）：特開2008-283202
出願日： 2008年06月09日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：

【課題】 他の部分にダメージを与えることなく優れた絶縁性が得られる絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイスを提供する。 【解決手段】 基板1上に、蒸着法により、Al、Hf、Zr及びSiからなる群から選択された少なくとも1種の元素を含む酸化物又は窒化物からなる蒸着絶縁膜2を形成する。そして、この蒸着絶縁膜2に対して、基板1の温度を300乃至500°Cにして、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも1種の処理を施す。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にAl、Hf及びZrからなる群から選択された少なくとも1種の元素を含む酸化物からなる第1の絶縁膜を蒸着する工程と、この第1の絶縁膜に対して、前記基板の温度を300乃至500°Cにして、水素プラズマ処理を施す工程と、を有することを特徴とする絶縁膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 43/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (6件)：

H01L21/316 P ,  H01L21/316 B ,  H01L29/78 301G ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  H01L21/90 K

Fターム (44件)：

5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033TT02 ,  5F033VV10 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BF14 ,  5F058BF17 ,  5F058BH16 ,  5F092AA11 ,  5F092AC11 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092CA15 ,  5F140AA19 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA04 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE13 ,  5F140BE16

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-097906   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 高誘電率金属酸化物絶縁膜を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-295367   出願人：株式会社東芝
• アルミナ膜およびその製造方法、ならびにアルミナ膜を用いた磁気ヘッド及びその製造方法、ならびに磁気記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-280323   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-360807   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-008130   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素半導体構造における積層誘電体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-568128   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 特開平2-015163