絶縁膜の形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-097906
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297822
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】従来の熱酸化膜やCVD法による絶縁膜の形成方法のみでは、今後の高速、低消費電力デバイスへの応用は不十分である。また、良好なデバイス特性を得るためには様々な形体を持った装置を使用する必要があり、操作性やフットプリントの点で問題がある。【解決手段】本発明により、大気への暴露を避けて、洗浄、酸化、窒化、薄膜化などの処理を行うことで、洗浄度の高い絶縁膜の形成が可能となる。さらに、同一の動作原理を用いて絶縁膜の形成に関する様々な工程を行うことで、装置形体の簡略化を実現し、特性の優れた絶縁膜を効率よく形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

電子デバイス用基材上に絶縁膜を形成するプロセスにおいて、該工程に含まれる絶縁膜特性を制御する2以上の工程が、同一の動作原理下で行われることを特徴とする基材表面の絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 A , H01L 21/318 A , H01L 29/78 301 G

Fターム (43件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BC20 , 5F058BE02 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ04 , 5F140AA02 , 5F140AA24 , 5F140AC39 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE02 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF34 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG37 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140CB04 , 5F140CE10

引用特許：

審査官引用 (10件)

111面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-376170 出願人：大見忠弘
半導体製造方法及び半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-097831 出願人：東京エレクトロン株式会社
環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-135100 出願人：キヤノン株式会社

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