特許
J-GLOBAL ID：200903040575004781
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-006868
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196710
出願日： 2005年01月13日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】ウェハ表面に厚い粘着層を有する表面保護テープを貼り付けてウェハ表面のポリイミド保護膜による凹凸形状を緩和することによって、ウェハが割れるのを防ぎながら薄い半導体素子を作製すること。【解決手段】半導体ウェハ31のポリイミド保護膜32による凹凸を有する表面に、基材層26と軟化材層20と粘着剤層25を備えた厚い表面保護テープ24を貼り付け、刃先の温度が50〜80°C程度になるように加熱した切断カッターを用いて、表面保護テープ24をウェハ外周に沿って切断する。その後、表面保護テープ24を加熱し、軟化材層20を変形させて、基材層26の表面をほぼ平坦にする。表面保護テープ24を貼り付けた状態のまま、ウェハ裏面を研削加工して薄ウェハにする。そして、ダイシングを行う直前まで、半導体ウェハ31に表面保護テープ24を貼り付けた状態のまま、各種処理を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの凹凸を有する表面に、基材層と前記凹凸による段差よりも厚い粘着層を備えたテープを、該粘着層がウェハ表面に接するように貼り付けた後、常温よりも高く、かつ前記粘着層の構成材が付着する温度よりも低い温度に加熱された切断カッターを用いて、前記半導体ウェハの外周に沿って前記テープを切断することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304
, H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 21/336
H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
, H01L29/78 655Z
, H01L29/78 658Z
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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