特許
J-GLOBAL ID：200903073164650424
III族窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐野 静夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-001255
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273470
出願日： 2003年01月07日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 基板としてもIII族窒化物半導体を備える窒化物半導体レーザ素子であって、動作特性に優れ、レーザ発振寿命の長いものを提供する。【解決手段】 GaN基板上のIII族窒化物半導体積層構造のうちレーザ光導波領域を、基板を上下方向に貫通する転位集中領域の上方から外れた位置に設けるとともに、積層構造上面および基板下面に設ける電極をそれぞれ転位集中領域の上方および下方から外れた位置に設ける。積層構造上面および基板下面のうち転位集中領域の上方および下方に位置する部位に誘電体層を設けて、これらの部位に電極が接触しないようにする構成もある。
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体より成る基板と、基板の上面に設けられたIII族窒化物半導体より成る積層構造と、積層構造の上面に設けられた電極を備える半導体レーザ素子であって、基板がその下面から上面に達する転位集中領域と転位集中領域を除く部位である低転位領域とを有し、積層構造が基板の低転位領域の上方のみに位置するストライプ状のレーザ光導波領域を有し、電極が基板の低転位領域の上方のみに位置することを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (11件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA47
, 5F073AA51
, 5F073AA61
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073EA27
