特許
J-GLOBAL ID：200903040969423941
高周波回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292567
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126873
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に低損失のスパイラルインダクタを形成した高周波回路を得ることを目的とする。【解決手段】 半導体基板上にスパイラルインダクタを形成する高周波回路において、スパイラルインダクタの巻線2は、半導体基板8上に積層した複数の絶縁体9上に設けた各層金属配線のうち最下層の上の第2層とそれより上層の各層金属配線を積層した金属配線を用いて形成し、この巻線を内側から外側へ引き出す引出し部分は、最下層の第1層金属配線とその上層の第2層金属配線とを含む金属配線を用いて形成し、上記巻線2が上記引出し部分と交差する部分は、上記引出し部分で用いた金属配線より上層の最上層金属配線を含む金属配線を用いて形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にスパイラルインダクタを形成する高周波回路において、スパイラルインダクタの巻線は、半導体基板上に積層した複数の絶縁体上に設けた各層金属配線のうち最下層の上層の第2層とそれより上層の各層金属配線を積層した金属配線を用い、この巻線を内側から外側へ引き出す引出し部分は、最下層の第1層金属配線とその上層の第2層金属配線とを含む積層した金属配線を用い、上記巻線が上記引出し部分と交差する部分は、上記引出し部分で用いた金属配線より上層の最上層金属配線を含む金属配線を用いて形成することを特徴とする高周波回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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