特許
J-GLOBAL ID：200903041050519230
発光素子アレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077409
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 発光効率が高く、低駆動電圧の発光素子アレイを提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板11の上に、 半絶縁性GaAsバッファ層12、n型AlxGa1ーxAsクラッド層13、n型AlyGa1ーyAs活性活性層14n型AlzGa1ーzAsクラッド層15、およびn型GaAsコンタクト層16を設けた積層構成を有し、この積層構成中にZnの拡散領域17〜19設ける。また、n型層13〜16のSi不純物濃度を5×1017から2×1018[個/cm3]の範囲とする。この構成により、高発光効率かつ低駆動電圧の発光素子アレイが得られる。
請求項（抜粋）：
所望の発光波長の発光を得るためのAlyGa1ーyAs層(1>y>0)と、当該AlyGa1ーyAs層を挟んで上に積層されたAlzGa1ーzAs層(1>z>y>0)層と、下に積層されたAlxGa1ーxAs層(1>x>y>0)とからなる3層のAlGaAs半導体層と、当該3層のAlGaAs半導体層の上に最上層として積層されたGaAs層とを含む、半導体積層基板構成を有し、当該半導体積層基板構成中に、Znを導電型不純物としかつ前記AlyGa1ーyAs層内に拡散フロントが存在する、拡散領域が形成されており、前記GaAs層と前記AlzGa1ーzAs層との積層界面とを含んで前記GaAs層内に横方向のpn接合界面が存在しないように、前記GaAs層と前記AlzGa1ーzAs層の一部表層とが部分的に除去されており、かつ、前記半導体基板積層構成における前記3層のAlGaAs半導体層と前記GaAs層との導電型がn型で、n型不純物がSiであり、その密度が5×1017から2×1018[個/cm3]に設定してある、ことを特徴とする発光素子アレイ。
Fターム (13件)：
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA02
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CB24
, 5F041FF13
