特許
J-GLOBAL ID：200903024773819230

発光素子アレイ及び発光素子

発明者：
荻原 光彦

荻原 光彦 について

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中村 幸夫

中村 幸夫 について

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谷中 真澄

谷中 真澄 について

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清水 孝篤

清水 孝篤 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041501
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220164
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 低コスト高歩留りで量産可能な高発光効率の高密度発光素子アレイ及び発光素子を提供する。【解決手段】 LEDアレイは、n型GaAs基板101、n型GaAs基板101上にn型GaAsバッファ層を設け、その上にエピタキシャル成長させた厚さd1のn型のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層(エピ層1)102、厚さd2のn型のAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As層(エピ層2)103、Znを拡散して形成した拡散領域104、拡散領域104の拡散フロント105、p側電極106、層間絶縁膜107及びn側電極108を備え、エピ層1のエネルギバンドギャップEg1はエピ層2のエネルギバンドギャップEg2よりも小さくなる(Eg1<Eg2)ように構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のエネルギバンドギャップの異なる少なくとも2層の半導体エピタキシャル層へ第2導電型の不純物を選択的に拡散させて作製した発光素子アレイであって、拡散領域のフロントが層内に存在する第1の半導体エピタキシャル層と、電極とコンタクトを有する第2の半導体エピタキシャル層とを積層した構造を備え、少なくとも前記第1の半導体エピタキシャル層のエネルギバンドギャップEg1が、前記第2の半導体エピタキシャル層のエネルギバンドギャップEg2より小さいことを特徴とする発光素子アレイ。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  G09F 9/33
FI (3件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 N ,  G09F 9/33 D
引用特許：
審査官引用 (26件)
  • 特開昭58-154279
  • 特開平4-005871
  • 特開平4-239781
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