特許
J-GLOBAL ID：200903041521798673

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
三冨士 道彦

三冨士 道彦 について

, 
丸山 竜太

丸山 竜太 について

, 
日野 真毅

日野 真毅 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-344201
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150081
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】製造工程を簡素化することができる、トレンチゲート構造の縦型二重拡散MOSトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】素子形成領域22には、半導体基板11の表層部に、P-型領域23が形成されている。また、P-型領域23の表層部には、N+型領域24が形成されている。さらに、トレンチ25が、N+型領域24およびP-型領域23を貫通し、最深部が半導体基板11に達するように形成されている。トレンチ25内には、半導体基板11の表面に突出するゲート電極27が設けられている。ゲート電極27のトレンチ25外に突出した部分の側面には、その全周を取り囲むように、窒化シリコンからなるサイドウォール29が形成されている。また、ゲート電極27上には、金属シリサイド膜30が形成されている。さらに、半導体基板11上には、金属シリサイド膜31が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
トレンチゲート構造の縦型二重拡散MOSトランジスタを有する半導体装置であって、 半導体基板と、 この半導体基板に形成されたトレンチと、 このトレンチ内に配置され、前記半導体基板の表面から突出したゲート電極と、 このゲート電極の側面に形成されたサイドウォールと、 前記半導体基板の表面および前記ゲート電極の表面に形成された金属シリサイド膜とを含むことを特徴とする、半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (8件)：
H01L29/78 652L ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 656G ,  H01L29/78 658D ,  H01L27/08 321G ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G
Fターム (29件)：
4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104HH16 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC18 ,  5F048BD07 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048DA27
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 縦形MOSトランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-180111   出願人：セイコーインスツル株式会社
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM