特許
J-GLOBAL ID：200903041648482764

半導体装置及びその製造方法

発明者：
田中 正幸

田中 正幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299918
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134687
出願日： 2002年10月15日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】金属珪化物からなる導電層を劣化させることの無いシリコン窒化膜を含む絶縁膜を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】珪化ニッケルなどの金属珪化物の導電層9上に均一に炭素を含むシリコン窒化膜を主成分とする絶縁膜10が形成されている。炭素を含むシリコン窒化膜は、窒化種とシリコンソースの反応により成膜される。シリコンソースとして用いられるヘキサメチルジシランは、メチル基を備えているので、反応により形成されるシリコン窒化膜には炭素及び水素が含まれる。そして、メチル基が含まれると膜自体が疎になって比誘電率が下がり、RC遅延いうトランジスタの速度低下が抑制される。炭素を含むシリコン窒化膜を用いることにより工程中に金属珪化物の導電層を劣化させない。シリコンソースとして、アミノ基、炭素化物を遊離基に持つアミノ基などを持つものも挙げられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域と、 前記半導体基板の前記ソース/ドレイン領域間のチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上もしくは前記ゲート電極及びソース/ドレイン領域上に形成された金属珪化物の導電層と、 少なくとも前記導電層に接するように前記半導体基板上に形成された炭素を含む絶縁膜と、 前記炭素を含む絶縁膜を被覆するように前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (12件)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (10件)：
H01L29/78 301N ,  H01L21/28 301D ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/318 B ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 Q ,  H01L21/90 K
Fターム (174件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH26 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH30 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK07 ,  5F033KK15 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK26 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033KK30 ,  5F033LL04 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF30 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ04 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA56 ,  5F083MA02 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR38 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD35 ,  5F101BH02 ,  5F101BH05 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG35 ,  5F140BG45 ,  5F140BG56 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK27 ,  5F140BK29 ,  5F140BK35 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC15 ,  5F140CE05 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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