半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-062837
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270606
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】シリコン酸化膜に対するエッチング選択比の高い絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明は、シリコン炭化窒化膜(SiCN膜12a)を用いる半導体装置の製造方法において、SiCN膜12aを、少なくともSi(CH3)nH(4-n)を含む反応ガスによって化学気相成長させる方法である。また、本発明は、絶縁膜としてSiCN膜12aを用いる半導体装置1でもある。

請求項（抜粋）：

シリコン炭化窒化膜を用いる半導体装置の製造方法において、前記シリコン炭化窒化膜を、少なくともSi(CH3)nH(4-n)を含む反応ガスによって化学気相成長させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 , H01L 21/28 , H01L 21/768 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/318 B , H01L 21/28 L , H01L 21/90 C , H01L 27/08 102 D , H01L 29/78 301 G

Fターム (46件)：

4M104DD04 , 4M104DD16 , 4M104DD19 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH13 , 5F033QQ09 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033XX02 , 5F048BF15 , 5F048DA24 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF31 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BF55 , 5F058BH10 , 5F058BJ07 , 5F140AA39 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG52 , 5F140BG58 , 5F140BK27 , 5F140CC03 , 5F140CC05 , 5F140CC07

引用特許：

審査官引用 (7件)

無定形SiNC被膜を蒸着する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-287998 出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-285197 出願人：ソニー株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-103505 出願人：三菱電機株式会社

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