特許
J-GLOBAL ID：200903041796399329

絶縁膜構造およびその製造方法

発明者：
長谷川 利昭

長谷川 利昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310136
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167650
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、低誘電率材料を用いた絶縁膜の耐水性の向上を図るとともに、0.25μmプロセスへの対応を可能にする。【構成】 絶縁膜構造は、基板11上に設けた導電層12を被覆するもので20Z(zeta)atom/cm3 以上100Zatom/cm3 以下の水素原子を含む酸化シリコンからなる保護膜13と、導電層12による段差12Aを埋め込みかつ保護膜13を被覆する低誘電体層14とからなる。上記保護膜13は10nm以上100nm以下の膜厚に形成される。さらに保護膜13の表層に1.0nm以上2.0nm以下の膜厚の窒化層(図示省略)を形成してもよい。
請求項（抜粋）：
基板上に設けた導電層を被覆する状態に形成した保護膜と、該導電層による段差を埋め込みかつ該保護膜を被覆する状態に形成した低誘電体層とを備えた絶縁膜構造において、前記保護膜は20Zatom/cm3 以上100Zatom/cm3 以下の水素原子を含む酸化シリコンからなることを特徴とする絶縁膜構造。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/318
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-088880   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-329912   出願人：日本電信電話株式会社
  • 特開昭63-208248
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