特許
J-GLOBAL ID：200903041834832490

有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよびその製造方法

発明者：
竹谷 純一

竹谷 純一 について

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西川 尚男

西川 尚男 について

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竹延 大志

竹延 大志 について

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小林 慎一郎

小林 慎一郎 について

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岩佐 義宏

岩佐 義宏 について


出願人/特許権者：
財団法人電力中央研究所

財団法人電力中央研究所 について

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セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-082834
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268715
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 機械的柔軟性、発光素子や受光素子との適合性、価格競争力などに優れ、様々な有機半導体材料を選択できる自由度および急峻なスイッチング特性を有する、有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよび該電界効果デバイスの製造方法を提供すること。 【解決手段】 本発明に係る電界効果デバイスは、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、該基板とは別々に作製された有機半導体単結晶とからなり、該絶縁膜と有機半導体単結晶とが、静電引力または機械的な力で接着されていることを特徴とする。 本発明に係る電界効果デバイスの製造方法は、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、有機半導体単結晶とを別々に作製した後、該有機半導体単結晶とゲート絶縁膜とを静電引力または機械的な力でソフトに接着することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁膜および複数の電極を有する基板と、該基板とは別々に作製された有機半導体単結晶とからなり、 該絶縁膜と有機半導体単結晶とが、静電引力または機械的な力で接着されていることを特徴とする電界効果デバイス。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/28
Fターム (19件)：
5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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