特許
J-GLOBAL ID：200903041904429060

半導体発光素子およびその製法

発明者：
筒井 毅

筒井 毅 について

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中田 俊次

中田 俊次 について

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尺田 幸男

尺田 幸男 について

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園部 雅之

園部 雅之 について

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伊藤 範和

伊藤 範和 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-343711
公開番号（公開出願番号）：特開2005-094031
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 半導体を積層する基板を非常に薄くするか、もしくはなくすることにより、LEDチップの厚さを薄くし、薄型化した半導体発光素子およびそれを製造する方法を提供する。【解決手段】 発光層を形成すべく半導体層3、4、5が積層される発光素子チップ30を有し、前記発光素子チップの前記基板厚さが10〜50μmに形成されている。チップ型発光素子とする場合は、両端部に端子電極32、33が設けられた絶縁性基板31と、該絶縁性基板上にマウントされると共に一方の電極(n側電極9)が前記端子電極の一方32と電気的に接続される発光素子チップ30と、該発光素子チップの他方の電極(p側電極8)を前記端子電極の他方33と電気的に接続するワイヤ34と、前記発光素子チップの周囲を被覆する樹脂パッケージ35からなっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に発光層を形成すべく半導体層が積層される半導体積層部とを具備する発光素子チップを有する半導体発光素子であって、前記発光素子チップの前記基板の厚さが10〜50μmである半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L23/12
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L23/12 501T ,  H01L23/12 501W
Fターム (8件)：
5F041AA47 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041DA07 ,  5F041DA43
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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