特許
J-GLOBAL ID：200903041907203380
デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038885
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326360
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 露光の際反射量を低減する反射防止コーティングを提供する。【解決手段】 本発明は、基板140上に反射防止コーティング層100とエネルギ感受性レジスト材料層150とを順に形成したデバイスにおいて、前記エネルギ感受性レジスト材料層150をパターン化された放射に露光・現像するデバイスの製造方法において、反射防止コーティング層とエネルギ感受性レジスト材料層との間のインタフェースを上部インタフェースと称し、反射防止コーティング層とその下の基板との間のインタフェースを下部インタフェースと称し、前記反射防止コーティング100は、前記上部インタフェースで第1屈折率を有し、前記上部インタフェースと下部インタフェースとの間の面で第2屈折率を有するシリコン含有酸化物製であり、前記第1屈折率は、エネルギ感受性レジスト材料150の屈折率と屈折率適合していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(A)基板(140)上に反射防止コーティング層(100)を形成するステップと、(B)前記反射防止コーティング層(100)上にエネルギ感受性レジスト材料層(150)を形成するステップと、ここで反射防止コーティング層とエネルギ感受性レジスト材料層との間のインタフェースを上部インタフェースと称し、反射防止コーティング層とその下の基板との間のインタフェースを下部インタフェースと称し、(C)画像のパターンをエネルギ感受性レジスト材料層(150)に写すためにエネルギ感受性レジスト材料層(150)をパターン化された放射に露光するステップと、(D)エネルギ感受性レジスト材料層(150)内のパターンを現像するステップと、からなり、前記反射防止コーティング(100)は、前記上部インタフェースで第1屈折率を有し、前記上部インタフェースと下部インタフェースとの間の面で第2屈折率を有するシリコン含有酸化物製であり、前記第1屈折率は、エネルギ感受性レジスト材料(150)の屈折率と屈折率適合していることを特徴とするデバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/004 506
, G03F 7/11 503
H01L 21/30 574
, G03F 7/004 506
, G03F 7/11 503
