特許
J-GLOBAL ID：200903086405684567

パターンの形成方法

発明者：
春日 卓

春日 卓 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329880
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153682
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、レジスト膜の表面に形成する反射防止膜の複素屈折率と膜厚とを、定在波効果を0にする最適条件に設定して、高精度なパターン形成を図る。【構成】 基板11上に形成したレジスト膜12の表面に塗布する反射防止膜13には露光時の照射光21を吸収する吸収剤を含むものを用い、その反射防止膜13の吸収率は、その後の露光時におけるレジスト膜12と反射防止膜13との界面からの反射光31とその反射防止膜13の表面からの反射光32とがほぼ相殺されるように設定する。そしてレジスト膜12の表面にその反射防止膜13を塗布する。そして露光と現像処理とを行ってパターン15を形成する。上記反射防止膜13の吸収率は、当該反射防止膜13の複素屈折率の虚部と膜厚とで決定する。また上記吸収剤は、波長が180nm以上300nm以下の光を吸収する材料、例えば染料からなる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成したレジスト膜の表面に反射防止膜を塗布して、当該反射防止膜を透して前記レジスト膜を露光した後、現像処理を行ってパターンを形成するパターンの形成方法において、前記反射防止膜には露光時の照射光を吸収する吸収剤を含むものを用い、前記露光時における前記レジスト膜と前記反射防止膜との界面からの反射光と当該反射防止膜の表面からの反射光とがほぼ相殺されるように前記反射防止膜の吸収率を設定して、前記レジスト膜の表面に当該反射防止膜を塗布し、その後、前記露光と前記現像処理とを行ってパターンを形成することを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503
引用特許：
審査官引用 (21件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM