特許
J-GLOBAL ID:200903041915973322

圧電薄膜共振子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 片山 修平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-303707
公開番号(公開出願番号):特開2005-073175
出願日: 2003年08月27日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】 優れた特性を有し、且つ製造が容易で歩留りの高い、安価で小型化された圧電薄膜共振子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上に下部電極13,窒化アルミニウムの圧電薄膜12及び上部電極14が形成され、下部電極13の下に位置する領域に空隙15が形成された圧電薄膜共振子(FBAR)1Aにおいて、下部電極13と上部電極14の少なくとも一方はルテニウム又はルテニウム合金の層を含む構成である。前記下部電極の下側に設けられかつ前記空隙に面するように形成された薄膜層を設けてもよい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板の第1の面上に形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を挟むように形成された下部電極及び上部電極と、前記圧電薄膜に形成されかつ前記下部電極の下側に位置する空隙とを有する圧電薄膜共振子であって、 前記圧電薄膜が窒化アルミニウムで形成され、 前記第1及び第2の電極の少なくとも一方はルテニウム又はルテニウム合金の層を含むことを特徴とする圧電薄膜共振子。
IPC (6件):
H03H9/17 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02
FI (9件):
H03H9/17 F ,  H03H9/17 Z ,  H03H3/02 B ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 J
Fターム (11件):
5J108AA00 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108FF04 ,  5J108FF05 ,  5J108KK02 ,  5J108MM11 ,  5J108MM15
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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