特許
J-GLOBAL ID：200903070260654660
薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャパシタ及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320000
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160557
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、相互作用パラメータが相異なる物質元素をそれぞれ含んでなる下部物質層及び上部物質層の界面に組成転移層が導入される多重膜を提供する。組成転移層は上部物質層をなす元素及び下部物質層をなす元素の両方を含んで、下部物質層上から上部物質層に至るまでの濃度勾配を持って、上部物質層に隣接する部分で上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大きい。このような下部物質層または上部物質層はアルミニウム、シリコン、ジルコニウム、セリウム、チタニウム、イットリウム、タンタルまたはニオビウムの酸化物または窒化物よりなる。
請求項（抜粋）：
相異なる物質元素をそれぞれ含んでなる下部物質層及び上部物質層と、前記下部物質層及び前記上部物質層の界面に前記上部物質層をなす元素及び前記下部物質層をなす元素の両方を含んで導入されて、前記下部物質層上から前記上部物質層に至るまでの濃度勾配を持って、前記上部物質層に隣接する部分で前記上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大きい組成転移層と、を含むことを特徴とする薄膜構造ための多重膜。
IPC (6件)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/316 X
, H01L 21/318 B
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 651
