半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-323076
公開番号（公開出願番号）：特開平9-161478
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】セルフリフレッシュモードのリフレッシュサイクルとCBR リフレッシュモードのリフレッシュサイクルをそれぞれのモードにあったサイクルにできなかった。【解決手段】セルフリフレッシュサイクルプログラム回路43a を設けてセルフリフレッシュ時にこのセルフリフレッシュサイクルプログラム回路43a にプログラムされたリフレッシュサイクルでリフレッシュ動作が行われるようにした。

請求項（抜粋）：

複数行および複数列に配置される複数のメモリセルと、前記複数行のそれぞれに対応して設けられる複数のワード線と、前記複数の列のそれぞれに対応して設けられる複数のビット線対とをそれぞれが有する複数のメモリブロック、前記複数のビット線対に接続される複数のセンスアンプ、リフレッシュサイクルがプログラムされるリフレッシュサイクルプログラム回路、リフレッシュのためのリフレッシュアドレス信号を発生するアドレス発生回路、セルフリフレッシュモード時に前記リフレッシュアドレス信号を一定時間ごとにインクリメントさせるセルフリフレッシュ制御回路、および、セルフリフレッシュモード時に前記リフレッシュサイクルプログラム回路にプログラムされたリフレッシュサイクルに応じたメモリブロックを選択し、選択されたメモリブロックにおけるワード線を選択すると共に、このメモリブロックに対応したセンスアンプを活性化する選択手段を備える半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/403 , G11C 11/406

FI (2件)：

G11C 11/34 363 M , G11C 11/34 363 K

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-202882 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置およびチップ選別方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-221694 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-214638 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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