特許
J-GLOBAL ID：200903042399229855
磁気メモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185785
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031640
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】高密度化と低消費電力化を図った磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】シリコン基板10のMOSトランジスタQNが形成された面上に、層間絶縁膜40に埋設されて複数のTMR素子VRが積層される。各TMR素子VRを挟んで上下に、互いに交差する書き込みビット線W-BLと書き込みワード線W-WLが配設される。書き込みビット線W-BL及び書き込みワード線W-WLのトンネル磁気抵抗素子VRに対向する面を除く面に、ヨーク材51,52が形成される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたスイッチング素子と、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して積層されて前記スイッチング素子に接続された複数のトンネル磁気抵抗素子と、
前記層間絶縁膜内に前記各トンネル磁気抵抗素子の近傍を通るように埋設された第1の書き込み用配線と、
前記層間絶縁膜に前記各トンネル磁気抵抗素子の近傍を通り且つ前記第1の書き込み用配線と交差するように埋設された第2の書き込み用配線と、
前記第1及び第2の書き込み用配線の少なくとも一方の前記トンネル磁気抵抗素子に対向する面を除く面に形成されたヨーク材と、
を有することを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (3件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 120
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083NA08
