半導体製造装置およびポリイミド膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-191800
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021868
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜用の高分子膜を効率よく形成するための半導体製造装置およびポリイミド膜を高い成膜速度で形成するための方法の開発。【解決手段】半導体製造装置において、蒸着重合室に蒸着重合する際のウエハーの表面を冷却するための手段を設ける。かかる装置を用いて、ウエハー上に原料モノマーを蒸着重合せしめてポリイミド膜を形成するに際し、該ウエハーの表面温度を30°Cより低くして蒸着重合し、成膜する。

請求項（抜粋）：

ウエハーの出し入れのための室とウエハーの搬送用ロボットを備えたコア室と複数の半導体製造プロセス室とからなり、該プロセス室の少なくとも一室が蒸着重合用原料モノマーの蒸発源を有する蒸着重合室である枚葉式の半導体製造装置において、該蒸着重合室が該ウエハーの表面温度を30°Cより低く冷却する手段を備えていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C08G 73/10 , C23C 16/52 , H01L 21/312 , H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/31 B , C08G 73/10 , C23C 16/52 , H01L 21/312 B , H01L 21/68 A

Fターム (65件)：

4J043PA02 , 4J043PC065 , 4J043PC135 , 4J043QB15 , 4J043QB26 , 4J043QB31 , 4J043RA35 , 4J043SA06 , 4J043SA43 , 4J043SA54 , 4J043SA55 , 4J043SA56 , 4J043SA72 , 4J043SB01 , 4J043TA22 , 4J043TA47 , 4J043TB01 , 4J043UA121 , 4J043UA131 , 4J043UA142 , 4J043UA151 , 4J043UA632 , 4J043UA662 , 4J043UA672 , 4J043UB121 , 4J043UB131 , 4J043UB132 , 4J043UB401 , 4J043VA011 , 4J043VA021 , 4J043VA022 , 4J043VA041 , 4J043VA042 , 4J043VA051 , 4J043VA071 , 4J043XA07 , 4J043XA40 , 4J043XB39 , 4J043XB40 , 4J043ZA43 , 4J043ZA46 , 4J043ZB11 , 4K030BA35 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030GA12 , 4K030JA05 , 4K030KA26 , 4K030KA41 , 5F031CC11 , 5F031KK03 , 5F031KK07 , 5F031LL02 , 5F045AA03 , 5F045AB39 , 5F045DC63 , 5F045DQ17 , 5F045EB08 , 5F045EE04 , 5F045EJ02 , 5F045HA16 , 5F058AC02 , 5F058AF01 , 5F058AG01 , 5F058AH01

引用特許：

審査官引用 (8件)

銅配線製造方法、半導体装置、及び銅配線製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-046323 出願人：日本真空技術株式会社
薄膜形成装置及び薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-350262 出願人：東レ株式会社
有機高分子薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-197865 出願人：古河電気工業株式会社

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