マスクパターンの補正方法と補正システム、及びこれらを用いた露光用マスクと半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112167
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307426
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】下地材料の相違による転写パターンの形状の変化をマスク上で補正する簡単で高精度なマスクパターン補正方法を提供する。【解決手段】マスクパターンを用いて同一加工層内の下地材料が異なる領域に同一大きさの開口部を形成し、加工層と下地材料との界面における開口部の寸法を前記下地材料ごとに測定し、下地材料の相違による開口部に生じた寸法差を補償するように前記マスクパターンの寸法を補正する。また、下地材料からの反射光を含む光学シミュレーションにより、下地材料との界面における開口部の寸法を下地材料ごとに算出し、これを用いて前記マスクパターンの寸法を補正する。補正後のマスクパターンを用いれば、下地材料の如何にかかわらず設計通りのパターン形状を得ることができる。

請求項（抜粋）：

同一被加工層の下地材料が異なる領域にマスクパターンを用いて開口部を形成する際、前記下地材料が異なる領域ごとにマスクパターンの補正を行うことを特徴とするマスクパターン補正方法。

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 G

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-137645
特開平2-260520
特開昭58-220427

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