特許
J-GLOBAL ID：200903042516971142

気相成長装置および気相成長装置の温度検出方法ならびに温度制御方法

発明者：
石橋 昌幸

石橋 昌幸 について

, 
土肥 敬幸

土肥 敬幸 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-389780
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197535
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、気相成長装置におけるウェーハ裏面の温度を正確に測定すると共にウェーハの正確な加熱温度制御をする方法を提供する。【解決手段】 貫通孔を有するサセプターを用いる気相成長装置でウェーハの温度計測をおこなうにあたり、ウェーハ表面と裏面に温度検出手段を有し、裏面側はサセプターの貫通孔に影響を受けない位置にて計測すること、ならびに裏面側の温度計測が得られない場合には裏面側は表面側電力に実験等で決定した係数をかけた電力で加熱する温度制御をすることにより解決できる。
請求項（抜粋）：
厚み方向に貫通孔が形成されたサセプターを配設した気相成長装置において、ウェーハ表面側の温度を測定する第1の温度検出手段と、ウェーハ裏面側の温度を測定する第2の温度検出手段とを有することを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/66 T
Fターム (18件)：
4K030CA12 ,  4K030HA14 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA24 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106DH14 ,  5F045AA05 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EK12 ,  5F045EK13 ,  5F045EK14 ,  5F045EK22 ,  5F045GB05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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