特許
J-GLOBAL ID：200903091099213621

半導体製造装置用部材

発明者：
入沢 直志

入沢 直志 について

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蔭山 信夫

蔭山 信夫 について

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鈴木 すすむ

鈴木 すすむ について

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滝本 康幸

滝本 康幸 について


出願人/特許権者：
旭硝子株式会社

旭硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 松井 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-362142
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176710
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 SiC又はSiO2 を母材とする半導体製造装置用部材の透明度を低くする。【解決手段】 SiC又はSiO2 を母材とする半導体製造装置用部材の一部の面にSi被膜を形成する。ただし、SiO2 を母材とする部材の場合は、Si被膜の下地となる面の平均表面粗さRaを0.1〜5μmとする。ランプアニール装置のサセプタ4や、ダミーウエハとして好適である。
請求項（抜粋）：
SiCを母材とする部材であって、その少なくとも一部の面にSi被膜が形成されていることを特徴とする半導体製造装置用部材。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511
FI (3件)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 M
引用特許：
審査官引用 (10件)
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