特許
J-GLOBAL ID：200903042827773743
成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-177344
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270016
出願日： 2005年06月17日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 誘電率が非常に低く且つエッチング耐性が十分に大きな不純物含有シリコン窒化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器4内に、シラン系ガスと窒化ガスと不純物含有ガスとを供給して被処理体Wの表面に不純物含有シリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを交互に供給すると共に、前記不純物含有ガスを前記シリコン系ガスと同時に供給し、前記窒化ガスはプラズマにより活性化される。これにより、誘電率が非常に低く、且つエッチング耐性が十分に大きな不純物含有シリコン窒化膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスと不純物含有ガスとを供給して被処理体の表面に不純物含有シリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、
前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを交互に供給すると共に、前記不純物含有ガスを前記シラン系ガスと同時に供給し、前記窒化ガスはプラズマにより活性化されることを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/318 B
, H01L29/78 301N
5F058BC08
, 5F058BC10
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF27
, 5F058BF30
, 5F058BF32
, 5F058BF37
, 5F058BJ04
, 5F058BJ07
, 5F140AA01
, 5F140AA05
, 5F140AC28
, 5F140CC02
, 5F140CC08
, 5F140CC13
