特許
J-GLOBAL ID：200903042924836466
リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造されるデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-095774
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334835
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 リソグラフィ投影装置の投影システムの収差をゼルニケ膨張に関して獲得するデバイスの製造法を開示する。【解決手段】 ゼルニケ収差成分と像のエラーとの関係を定量化するゼルニケ収差および感度係数に基づき、変位エラーのフィールド分布および投影される像の焦平面歪みを計算する。次に、計算を実行して、像のエラーを最小にするために装置に適用する補償を決定する。次に補償を装置に適用する。補償は、別の収差の効果を低下させるために装置の収差の1成分を増大させ、したがって結局は像の品質が全体として改善される。
請求項（抜粋）：
デバイス製造方法であって、-少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆われた基板を提供するステップと、-放射線システムを使用して投影放射線を提供するステップと、-投影ビームの断面にパターンを与えるため、パターン形成手段を使用するステップと、-投影システムを使用して、放射線感応性材料の層の標的部分にパターン化した放射線を投影するステップとを含み、基板、放射線感応性材料の層、投影ビーム、パターン形成手段および投影システムのうち少なくとも1つの特性に関する情報を獲得すること、前記特性と、放射線感応性層に投影された像に異常を引き起こす複数のリソグラフィ・エラーのうち少なくとも1つとの関係を定量化する複数の係数を獲得すること、リソグラフィ・エラーを計量して合計するメリット関数を定義すること、基板、投影ビーム、パターン形成手段、および投影システムのうち少なくとも1つに適用する補償値を計算して、メリット関数を最適化すること、および計算した補償値を適用すること、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 Z
, H01L 21/30 516 A
, H01L 21/30 531 E
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 V
