特許
J-GLOBAL ID：200903043165002713

p型半導体

発明者：
瀧澤 俊幸

瀧澤 俊幸 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-059520
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273595
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】低抵抗なp型半導体を実現する。【解決手段】半導体である母体材料100と、母体材料100に添加され、母体材料100を構成する元素の価電子数よりも少ない価電子数を有し、アクセプタ準位を形成するアクセプタ元素110と、母体材料100に添加され、母体材料100を構成する元素と同一の価電子数を有し、かつ、母体材料100を構成する元素よりも小さい電気陰性度を有し、アクセプタ準位の正孔を活性化する局在バンドを形成する局在バンド形成元素120とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体であって、 前記半導体を構成する元素の価電子数よりも少ない価電子数を有するアクセプタ元素と、 前記半導体を構成する元素と同一の価電子数を有し、かつ、当該元素よりも小さい電気陰性度を有する局在バンド形成元素とを含む ことを特徴とするp型半導体。
IPC (6件)：
H01L29/207 ,  H01L21/18 ,  H01L21/34 ,  H01L29/227 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (6件)：
H01L29/207 ,  H01L21/18 ,  H01L21/34 ,  H01L29/227 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (16件)：
5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041FF01 ,  5F052KA05 ,  5F073BA05 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB16 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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