特許
J-GLOBAL ID：200903043221685985
半導体装置のゲート絶縁膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391982
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257208
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、優れた電気的特性を有する半導体装置のゲート絶縁膜形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(10)上に、活性領域及び素子分離領域を定義する(define)フィールド酸化膜(12)を形成する工程と、このフィールド酸化膜(12)が形成された基板(10)上にナイトライドを含む絶縁膜(14)を形成する工程と、このナイトライド含有絶縁膜(14)上に非晶質TaON絶縁膜(16)を形成する工程と、この非晶質TaON絶縁膜(16)を結晶化させる工程とを含む半導体装置のゲート絶縁膜形成方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、活性領域及び素子分離領域を定義する(define)フィールド酸化膜を形成するフィールド酸化膜形成工程と、該フィールド酸化膜が形成された基板上にナイトライドを含む絶縁膜を形成するナイトライド含有絶縁膜形成工程と、該ナイトライド含有絶縁膜上に非晶質TaON絶縁膜を形成する非晶質TaON絶縁膜形成工程と、該非晶質TaON絶縁膜を結晶化させる結晶化工程とを含むことを特徴とする半導体装置のゲート絶縁膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, C23C 16/40
, H01L 29/78
H01L 21/318 C
, H01L 21/318 B
, H01L 21/318 M
, C23C 16/40
, H01L 29/78 301 G
