特許
J-GLOBAL ID：200903043391716664
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066914
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257347
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 炭化珪素を用いた半導体装置の性能を大幅に向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素を用いた半導体装置を、基板部とチャネル部とで異なる結晶多形の炭化珪素を用いて製造する。また、基板部の結晶多形を、4H型または6H型とし、チャネル部分の結晶多形を6H型、3C型、15R型のいずれかにする。また、チャネル部を形成する工程は、第一の結晶多形の炭化珪素の一部をエッチングし、エッチングされた箇所の全部あるいは一部に第二の結晶多形の炭化珪素を形成してなり、第一と第二の結晶多形の炭化珪素の導電型を所望の半導体装置となるように制御する。
請求項（抜粋）：
炭化珪素を用いた半導体装置において、基板部とチャネル部とで異なる結晶多形の炭化珪素を用いたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
, H01L 29/78 655
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 658 A
