特許
J-GLOBAL ID：200903043520872805
半導体パッケージ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272362
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094008
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易であると共に放熱性が高く、しかも大きな容量で電源をとったりグランドをとったりすることができる半導体パッケージを提供する。【解決手段】 回路板1に開口部2とスルーホール3をそれぞれ表裏両面に開口させて設け、回路板1の表面の導体回路4とスルーホール3の内周の導体層5とを導通接続する。放熱用金属板6の表面に導電性接着層7を介して回路板1を積層して、回路板1の開口部2内に底面に放熱用金属板6が露出する半導体搭載用キャビティ8を形成すると共に導電性接着層7とスルーホール3の内周の導体層5とを導通接続する。座ぐり加工の必要なく回路板1に設けた開口部2で半導体搭載用キャビティを形成することができる。また放熱用金属板6を導電性接着剤7やスルーホール3の導体層5を介して回路板1の表面の導体回路4に導通接続することができる。
請求項（抜粋）：
回路板に開口部とスルーホールをそれぞれ表裏両面に開口させて設け、回路板の表面の導体回路とスルーホールの内周の導体層とを導通接続し、放熱用金属板の表面に導電性接着層を介して回路板を積層して、回路板の開口部内に底面に放熱用金属板が露出する半導体搭載用キャビティを形成すると共に導電性接着層とスルーホールの内周の導体層とを導通接続して成ることを特徴とする半導体パッケージ。
FI (3件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 N
, H01L 23/12 L
