特許
J-GLOBAL ID：200903043531615472

多層配線基板の製造方法

発明者：
木村 哲也

木村 哲也 について

, 
民 保秀

民 保秀 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-230913
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050869
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】微細配線化、低抵抗化ができ、高寸法精度の多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス粉末とセラミック粉末とを含有するグリーンシート1表面に配線回路層3を形成してグリーンシート1を複数積層するとともに、グリーンシート1の積層体の少なくとも一方の表面に、難焼結性セラミック材料を主体とし、非晶質成分を0.5〜15体積%含有する拘束シート8を積層した後、該積層体を配線回路層3の融点以下の温度で焼成してガラスセラミック絶縁基板10の表面および/または内部に配線回路層3を形成してなる多層配線基板Aの製造方法において、ガラスセラミック絶縁基板10と拘束シート8との40〜400°Cにおける平均熱膨張係数差を3×10-6/°C以下とする。
請求項（抜粋）：
ガラス粉末とセラミック粉末とを含有するグリーンシート表面に配線回路層を形成して該グリーンシートを複数積層するとともに、該積層体の少なくとも一方の表面に、難焼結性セラミック材料を主体とし、非晶質成分を0.5〜15体積%含有する拘束シートを積層した後、該積層体を前記配線回路層の融点以下の温度で焼成してガラスセラミック絶縁基板の表面および/または内部に配線回路層を形成してなる多層配線基板の製造方法において、前記ガラスセラミック絶縁基板と前記拘束シートとの40〜400°Cにおける平均熱膨張係数差を3×10-6/°C以下とすることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (5件)：
H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 Q
Fターム (35件)：
5E346AA02 ,  5E346AA04 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC17 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346CC53 ,  5E346CC55 ,  5E346DD12 ,  5E346DD13 ,  5E346EE13 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE28 ,  5E346EE29 ,  5E346FF01 ,  5E346FF18 ,  5E346FF23 ,  5E346FF27 ,  5E346GG04 ,  5E346GG05 ,  5E346GG15 ,  5E346GG19 ,  5E346GG24 ,  5E346GG26 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11 ,  5E346HH26
引用特許：
審査官引用 (5件)
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