特許
J-GLOBAL ID：200903043535221789

フォトダイオード及びそれを含む撮像素子

発明者：
猪川 洋

猪川 洋 について

, 
佐藤 弘明

佐藤 弘明 について


出願人/特許権者：
国立大学法人静岡大学

国立大学法人静岡大学 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  近藤 伊知良 ,  諏澤 勇司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-081662
公開番号（公開出願番号）：特開2009-238940
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】簡易な構造でリーク電流を低減しつつ、光検出効率を向上させること。【解決手段】このフォトダイオード1は、シリコン基板2と、基板2上に形成された埋め込み絶縁層3と、埋め込み絶縁層3上の領域A1に形成された半導体層5と、半導体層5上に形成されたゲート絶縁層6と、ゲート絶縁層6上に形成されたゲート電極層7と、埋め込み絶縁層3上において領域A1を挟んで半導体層5に隣接して形成されたp+型半導体層8及びn+型半導体層9とを備え、ゲート電極層7には、入射光に応じた表面プラズモンによって近接場光を発生させる周期的な凹凸構造が、表面に沿って形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体又は金属から成る基板と、 前記基板上に形成された埋め込み絶縁層と、 前記埋め込み絶縁層上の所定領域に形成された半導体層と、 前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極層と、 前記埋め込み絶縁層上において前記所定領域を挟んで前記半導体層に隣接して形成されたp型半導体層及びn型半導体層とを備え、 前記ゲート電極層には、入射光に応じた表面プラズモンによって近接場光を発生させる周期的な凹凸構造が、表面に沿って形成されている、 ことを特徴とするフォトダイオード。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (3件)：
H01L31/10 E ,  H01L27/14 C ,  H01L31/10 H
Fターム (19件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118CA11 ,  4M118FA06 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F049MA14 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NB01 ,  5F049NB05 ,  5F049NB07 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SE20 ,  5F049SS02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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