多孔質フィルムの製造方法ならびに層間絶縁膜、半導体材料および半導体装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , , , ,
代理人 (2件)：西教圭一郎 , 廣瀬峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-092480
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278506
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】疎水性および機械的強度に優れ、光機能材料、電子機能材料などとして好適に使用できる多孔質フィルムを得る。【解決手段】 Si-O結合を含む多孔質フィルムに、(A)-50〜450°Cの温度下および0.05〜150Paの圧力下、ハロゲン含有ガスを含まない雰囲気下でAr、Kr、Xe、Ne、He、O2、O3、H2、N2、H2O、N2OおよびNH3の1種または2種以上を含むプラズマ雰囲気に曝露するプラズマ処理と、(B)有機ケイ素化合物を接触させる接触処理という2つの処理を施す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Si-O結合を含む多孔質フィルムを-50〜450°Cの温度下および0.05〜150Paの圧力下に、ハロゲン含有ガスを含まない雰囲気下でAr、Kr、Xe、Ne、He、O2、O3、H2、N2、H2O、N2OおよびNH3の1種または2種以上を含むプラズマ雰囲気に曝露するプラズマ処理工程と、Si-O結合を含む多孔質フィルムに有機ケイ素化合物を接触させる接触工程とを含むことを特徴とする多孔質フィルムの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (3件)：

H01L21/316 P , H01L21/90 K , H01L21/90 P

Fターム (13件)：

5F033QQ00 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS22 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033XX00 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F058BH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第2004/026765号明細書

審査官引用 (7件)

絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-325379 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-010026 出願人：株式会社半導体プロセス研究所
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-200214 出願人：株式会社東芝

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