半導体製造装置及び基板処理方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-170810
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081415
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】基板の円周方向温度差を軽減することができ、また、温度センサに不良が生じても継続して基板の処理を行うことができる半導体製造装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置1010は、ウエハ1400を処理する反応管1014と、反応管を加熱するヒータ1052と、排気管1082と、排気管1082に冷却ガスを流すに際し、排気管1082内の圧力値を検出する圧力センサ1092と、ヒータ1052及び冷却ガス排気装置1084を制御してウエハ1400を処理する制御部1200と、を有し、制御部1200は、ウエハ1400周縁部の状態を検出する複数ある第2の温度検出部1064の平均値と、基板中心部の状態を検出する第1の熱電対1062の測定値とを予め取得して、取得した測定値に基づき、ヒータ1052及び冷却ガス排気装置1084を制御する。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱する加熱装置と、前記処理室と前記加熱装置との間に設けられた冷却ガス流路と、前記冷却ガス流路における圧力値を測定する圧力検出器と、基板の温度を検出する温度検出部と、前記加熱装置及び前記冷却装置を制御して基板を処理する制御部と、を有し、前記制御部は、基板中心部の温度を検出する第1の温度検出点の測定値と、基板周縁部の温度を検出する第2の温度検出部の基板円周方向の複数の検出点の測定値の平均値とを予め取得して、該取得した測定値に基づき、前記加熱装置及び前記冷却装置を制御することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/22 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , C23C 16/52 , C23C 14/54

FI (7件)：

H01L21/22 501N , H01L21/22 511Q , H01L21/22 511A , H01L21/205 , H01L21/31 B , C23C16/52 , C23C14/54 D

Fターム (16件)：

4K029DA08 , 4K029EA08 , 4K030HA12 , 4K030JA10 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045GB05 , 5F045GB06

引用特許：

出願人引用 (7件)

国際公開第2005/008755号パンフレット
熱処理装置、熱処理装置の制御方法、および基板の周縁測定箇所の決定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-164888 出願人：東京エレクトロン株式会社
高速熱処理炉の温度制御方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-168615 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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審査官引用 (5件)

熱処理装置、熱処理装置の制御方法、および基板の周縁測定箇所の決定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-164888 出願人：東京エレクトロン株式会社
高速熱処理炉の温度制御方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-168615 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-000651 出願人：株式会社日立国際電気

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